GPAS1002 MNG характеристики	Выбрать все
Производитель	Taiwan Semiconductor Corporation
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Исполнение корпуса	TO-263AB (D?PAK)
Тип диода	Standard
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	10A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1.1V @ 10A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	5µA @ 100V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	100V
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	-55°C ~ 150°C
Емкость @ Vr, F	50pF @ 4V, 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Taiwan Semiconductor Corporation
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Исполнение корпуса	TO-263AB (D?PAK)
Тип диода	Standard
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	10A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1.1V @ 10A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	5µA @ 100V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	100V
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	-55°C ~ 150°C
Емкость @ Vr, F	50pF @ 4V, 1MHz

GPAS1002 MNG

GPAS1002 MNG характеристики